Lezioni ed esercitazioni |
Ore |
Argomenti |
Contenuti specifici |
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Principi di fisica del trasporto |
Equazione di Boltzmann. Metodo dei momenti. Modelli idrodinamico e drift-diffusion. Trasporto nelle eterogiunzioni. |
8 |
Principi di meccanica quantistica |
Pacchetti d'onde. Proprietà elettroniche dei cristalli. Reticolo diretto e reciproco. Struttura a bande. Densita` degli stati. Approssimazione della massa efficace. Semiconduttori intrinseci. Livello di Fermi. Concentrazioni di portatori. |
8 |
Fenomeni di generazione ricombinazione |
Ionizzazione da impatto. Fotogenerazione. Tunneling banda a banda. |
6 |
Tecnologie micro- e nano-elettroniche |
processi di fabbricazione MOS e bipolari. Diffusione, impiantazione, crescita epitassiale, deposizione e crescita di isolanti, semiconduttori e metalli |
6 |
Scaling |
Impatto della riduzione delle dimensioni sulle caratteristiche e le prestazioni di dispositivi micro e nanoelettronici.
Architettura di dispositivi elettronici MOS e bipolari ad elevate prestazioni. |
6 |
Affidabilita' dei dispositivi e delle interconnessioni |
Meccanismi di degrado dei dispositivi elettronici, tunneling, portator caldi, elettromigrazione. |
6 |
Totale ore lezioni ed esercitazioni |
40 |
di cui di esercitazione |
6 |
Ulteriori attività di didattica assistita
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Ore
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Laboratorio |
4 |
Seminari e/o testimonianze |
2 |
Corsi integrativi |
10 |
Visite guidate |
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Totale ore dedicate ad altre attività di didattica
assistita |
16 |
Totale ore complessive |
56
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